為新建微電子裝備中心大樓，項(xiàng)目占地面積為2278. 00m2，總建筑面積為14963.80m2，地.上6層，地下1層，建筑高度為23. 85m。工程投資約4000萬(wàn)元。基坑概況:基坑長(zhǎng)80米，寬21.6米，深度為4.4米~4.9米，安全等級(jí)為二級(jí)，結(jié)構(gòu)重要性系數(shù)為1.0，放坡為1: 0.6，支護(hù)方案為土釘墻加掛網(wǎng)噴砼，土釘墻鋼筋規(guī)格為:三級(jí)螺紋鋼，直徑18MM， 長(zhǎng)度6米，鋼筋網(wǎng)規(guī)格為中6. 5@250*250，錨噴砼強(qiáng)度為C20,素噴砼強(qiáng)度為C20,，厚度為100MM，分兩層施工。