靜電危害講義
  • 資料等級(jí):
  • 授權(quán)方式:資料共享
  • v發(fā)布時(shí)間:2012-06-11 16:02:32
  • 資料類(lèi)型:RAR
  • 資料大。94 KB
  • 資料分類(lèi):
  • 運(yùn)行環(huán)境:WinXp,Win2003,WinVista,Win ;
  • 解壓密碼:civilcn.com
ESD危害是靜電源產(chǎn)生的電能作用到或過(guò)于接近ESDS(靜電敏感元器件)元件(或整機(jī)設(shè)備)所導(dǎo)致的結(jié)果。使電子器件性能退化或功能失效。
1.靜電的三種危害方式
1.1 吸附塵埃
靜電吸附塵埃對(duì)微電子生產(chǎn)業(yè)影響很大,在現(xiàn)代大規(guī)模集成電路(LSI)生產(chǎn)中,芯片的線寬已達(dá)到0.1μm,如果其產(chǎn)生靜電則對(duì)幾~幾十微米的塵埃吸附作用明顯。
立即下載土木工程網(wǎng)提醒您:本資料下載權(quán)限為(普通會(huì)員)