研究了襯底溫度對MOCVD技術制備的ZnO薄膜的微觀結構和光電特性影響．XRD和SEM的研究結果表明，襯底溫度對ZnO薄膜的微觀結構有顯著影響，明顯的形貌轉變溫度大約發(fā)生在175 6C，低于175。C，薄膜呈鏡面結構，晶粒為球狀，高于177℃的較高溫度范圍，薄膜從“類金字塔”狀的絨面結構演化為“巖石”狀顯微組織；隨著溫度增加，薄膜的晶粒尺寸明顯增大．絨面結構的未摻雜ZnO薄膜具有17．96 em2，V·8的高遷移率和3．28×10。2 Q·cm的低電阻率，對ZnO薄膜的進一步摻雜和結構優(yōu)化有望應用于si薄膜太陽電池的前電極．